这是一个难以突破的瓶颈，也是未来技术发展的一个重要节点。

根据摩尔定律和最近十几年的半导体发展历程来看，每18到24个月，集成电路上可以容纳的晶体管数目就会增加一倍。

简而言之，处理器的性能大约每两年就会翻一倍，同时价格也会下降到之前的一半。

这是一个不可逆转的趋势，也是推动科技不断进步的重要力量。

然而，3纳米的极限看似很远，但实际上很快就会摸到上限。

目前的纳米制程还停留在45纳米，按照各家的推算，不需十年最晚十五年时间就会达到极限。

并且根据大家的研究来看，EUV光刻技术的优势主要在于7纳米到14纳米这个阶段。

在这个阶段，它的性能和成本都相对较为优越。

但是，随着制程的不断缩小，研发成本会呈指数级上升，这使得继续研发EUV光刻技术变得完全不合算。

因此，不止研发EUV光刻技术，寻找新的、更具成本效益的光刻技术去触摸更高精度制程已经成为行业的共识。

如今，江辰提出了精度更高的其他光刻技术，这无疑为两家光刻制造企业带来了新的希望和机遇。

他们当然也想要这些技术，以便在未来的竞争中占据先机。

不过还没等两位老总把话说出口，就被其他人打断了。

“到现在为止，我们说的都是光刻环节的问题，但其实其他公司都还嗷嗷待哺，等着听您的高见呢。”

“江总，既然您已经解决了光刻环节的问题，那相信在刻蚀、光刻胶乃至存储技术方面，您肯定也有成熟的方案吧。

不妨一起说说吧，让我们也听听您的全面规划。”

这个人的话语中充满了期待和急切，显然对江辰的技术实力充满了信心和期待。

这番话语也引起了在场其他人的共鸣，其余众人都纷纷点头表示赞同，希望江辰能够继续分享他的技术见解和规划。

而后，江辰也陆续分享了自己手中掌握的一系列技术。

例如，他讲解了刻蚀技术的先进工艺，这是一项对半导体衬底表面或表面覆盖的薄膜进行选择性腐蚀或剥离的关键技术。

在芯片制造的众多环节中，它被视为第二大技术难点，对于提升芯片的性能和良率至关重要。